中性鹽霧試驗箱不同條件對電路板元件試驗結(jié)果的影響分析

　　中性鹽霧試驗箱不同條件對電路板元件試驗結(jié)果的影響分析
 

　　產(chǎn)品的耐鹽霧腐蝕試驗方法可分成兩大類:天然環(huán)境暴露試驗和人工加速模擬鹽霧環(huán)境試驗。天然環(huán)境暴露試驗是將樣品放在某一典型氣候區(qū)域,在貯存環(huán)境下考察樣品的耐鹽霧腐蝕性情況。天然環(huán)境暴露試驗的周期一般很長,需要幾年甚至十幾年,同時,需要試驗人員長期進行檢查和記錄,所需人力、財力、物力較大。其試驗結(jié)果也只適用部分地區(qū),在另一些地區(qū)則可能不適用。
 

　　人工加速模擬環(huán)境試驗是利用具有一定容積空間鹽霧試驗箱,在其容積空間內(nèi)用人工方法造成鹽霧環(huán)境,對元器件的耐鹽霧腐蝕性能質(zhì)量進行考核。它彌補了天然環(huán)境暴露試驗的不足,通過提高鹽霧環(huán)境中氯化物的濃度,使腐蝕速度大大提高,得出結(jié)果的時間也縮短了很多。人工模擬鹽霧環(huán)境試驗,使樣品的耐鹽霧腐蝕質(zhì)量不受自然環(huán)境條件的影響,因此得到了較快的發(fā)展,從單一的氯化鈉鹽霧試驗發(fā)展成為多種類型試驗。常見的鹽霧試驗可分為4 類:中性鹽霧試驗,醋酸鹽霧試驗,銅加速醋酸鹽霧試驗,交變鹽霧試驗。本文主要分析中性鹽霧試驗各項試驗條件對試驗結(jié)果的影響。
 

　　本次鹽霧試驗采用美國Q-Lab公司研發(fā)的Q-FOG CCT-600鹽霧試驗箱進行試驗，試驗方法試驗方法采用GJB548 B22005方法1009.2中性鹽霧試驗的相關(guān)規(guī)定,試驗時間為24h,基本技術(shù)參數(shù)范圍:
 

　　溫度25°C～50°C,氯化鈉溶液濃度0.5%～5% ,樣品擺放角度15°～45°,鹽溶液pH值6.5～7.2 ,沉降率(1～2.47) mL/2000px2·h，
 

　　選取80只外觀無損傷、不漏氣、表面干凈、無明顯劃傷的元器件,平均分成4組,每組20只;每組均采用4種不同的試驗條件,每種試驗條件使用5只電路。分組試驗后的結(jié)果按照GJB548B22005方法1009.2中圖2(計算腐蝕面積的卡片)給出的各腐蝕面積比例形態(tài)進行比對。試驗結(jié)果如表1到表4
 

　　試驗證明，鹽霧試驗是考核元器件抗鹽霧腐蝕能力的重要方法,試驗結(jié)果的科學性、合理性至關(guān)重要。影響鹽霧試驗結(jié)果的因素很多。但是以本次測試使用標準GJB548 B22005為例，只要在整個試驗過程中注意準確控制試驗溫度、氯化鈉溶液濃度和pH值、鹽霧沉降率、產(chǎn)品擺放角度等關(guān)鍵因素，如試驗溫度控制在35°C,溶液濃度控制在1%～5% ,pH值控制在6.5～7.2,鹽霧沉降率控制在1～1.5mL/80 cm2·h 之間,產(chǎn)品擺放角度為30°,就能保證試驗結(jié)果的正確性和良好的重現(xiàn)性。