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為保證在滿足ASTM G151 ,ASTM G154，ASTM G155以及ISO 4892等標(biāo)準(zhǔn)要求的前提下，避免老化試驗(yàn)箱中的樣品表面產(chǎn)生水垢，我們需要對(duì)老化測試噴淋和冷凝用水提出規(guī)范性要求。
首先，我們統(tǒng)一了所有老化試驗(yàn)箱的用水要求，除了以下三個(gè)型號(hào)(QUV/Spray，QUV 無噴淋型和Q-FOG CRH)，具體要求見下表
| 試驗(yàn)箱型號(hào) | 電阻率(Ω-cm) | 導(dǎo)電性(μS/cm) | 總?cè)芙夤腆w (ppm) | 膠態(tài)二氧化硅(ppm) | PH |
| QUV/basic, se 和 cw紫外老化試驗(yàn)箱 | 常規(guī)水即可 | ||||
| Q-SUN spray 紫外老化試驗(yàn)箱和 Q-FOG CRH 鹽霧試驗(yàn)箱 | > 5M | < 0.2 | < 0.1 | < 0.1 | 6-8 |
| 其他型號(hào)設(shè)備 | > 200k | < 5 | < 2.5 | not specified | 6-8 |
其次，我們了解到，在帶有水噴淋功能的氙燈試驗(yàn)箱中，為防止試樣上出現(xiàn)水斑，除了采用去離子水外，還需要一個(gè)反滲透系統(tǒng)。
您會(huì)發(fā)現(xiàn)有的要求變得更加嚴(yán)格了，而另外一些則相對(duì)放松了要求。
Q-SUN Xe-3-H過去要求水的電阻率大于500KΩ-cm，研究表明該條件高于必要。
Q-FOG SSP鹽霧試驗(yàn)箱、Q-FOG CCT鹽霧試驗(yàn)箱以及Q-SUN Xe-2過去要求水的電阻大于50KΩ，而研究表明，這在防止礦物質(zhì)結(jié)垢堆積方面是不夠的。此外，多數(shù)鹽霧測試標(biāo)準(zhǔn)要求純水電阻>200KΩ-cm。而且達(dá)到200KΩ的水純度并不會(huì)更難或增加額外的開支，使用反滲透或去離子裝置可很簡便的達(dá)到純度要求。
現(xiàn)在，我們建議Q-SUN氙燈試驗(yàn)箱進(jìn)行噴淋時(shí)采用RO/DI(反滲透/去離子)水
注：Q-lab 為QUV/spray紫外老化試驗(yàn)箱和帶水噴淋的Q-SUN氙燈試驗(yàn)箱配備了水再凈化系統(tǒng)，但該系統(tǒng)不能替代RO/DI系統(tǒng)使用。
首先，隨著時(shí)間的推移，原有凈水系統(tǒng)在去除水中的膠狀二氧化硅效率變得越來越低。這可能導(dǎo)致快速形成水垢，正如我們常在實(shí)驗(yàn)室中看到的那樣。相比之下，反滲透系統(tǒng)能夠在相對(duì)較長的時(shí)間內(nèi)保持穩(wěn)定高效的運(yùn)行，而不會(huì)把二氧化硅回放到水中。
其次，原有處理系統(tǒng)只有在處理礦物質(zhì)含量較低的水時(shí)才具有較高的經(jīng)濟(jì)性，大部分擁有地表水源的城市都屬于這種情況，比如克利夫蘭。 然而，如果水源來自于地下水，比如亞利桑那，鳳凰城的情況，此類地下水礦物質(zhì)含量比較高，使用反滲透處理方式則擁有更高的經(jīng)濟(jì)性，主要注意的是單純采用反滲透并不能滿足大于500KΩ-cm的純度，還需要對(duì)水做去離子處理，以滿足純度要求。
值得注意的是，并非所有出現(xiàn)在試樣表面的二氧化硅斑點(diǎn)都是由于水中的雜質(zhì)構(gòu)成的。也有可能是由于材料降解而產(chǎn)生的。除在Q-SUN氙燈試驗(yàn)箱之外，這些斑點(diǎn)也有可能在自然老化過程中產(chǎn)生。如果您對(duì)于老化測試用水純度還有其他更多需要了解信息，歡迎聯(lián)系Q-lab中國代理——韻鼎公司。
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